کاواک - پروژه ها

۲۰۵ – پاورپوینت آماده: بررسی ارتباط کاواک با طیف خروجی در لیزر نیمه هادی GaAs – شامل ۱۸ اسلاید

ایجاد وارونی انبوهی(inverse population):
روش های ایجاد وارونی انبوهی:

دمش اپتیکی
دمش الکتریکی
باز ترکیب تابشی: نتیجه آن تولید فوتون است.
باز ترکیب غیر تابشی: نتیجه آن اتلاف انرژی بصورت گرما(فونون) است.
گاف مستقیم GaAs در این مواد تولید فوتون داریم.
گاف غیر مستقیم Ge,Si در این مواد تولید فونون داریم.
در ساختار DFBبه سبب وجود سطوح پریودیک اصل بازتاب براگ برای فوتون تولیدی اتفاق می افتد. البته با توجه به شکل ناحیه موجدار (Grating) تنها یکی از طول موجها…

۵۳۴ – پاورپوینت آماده: بررسی ارتباط کاواک با طیف خروجی در لیزر نیمه هادی GaAs – شامل ۱۸ اسلاید

ایجاد وارونی انبوهی(inverse population):
روش های ایجاد وارونی انبوهی:

دمش اپتیکی
دمش الکتریکی

نوعp (دهنده الکترون ) As
نوعn ) گیرنده الکترون) Ga

در مواد نیمه هادی بر خلاف فلزات طیف انرژی از نوارهای خیلی پهن تشکیل شده است.
احتمال اشغال حالت انرژی مورد نظر با f(E)
 
 

باز ترکیب تابشی: نتیجه آن تولید فوتون است.
باز ترکیب غیر تابشی: نتیجه آن اتلاف انرژی بصورت گرما(فونون) است.

گاف مستقیم GaAs در این مواد تولید فوتون داریم.
گاف غیر…