جستجو در تک بوک با گوگل!


بررسی اثر نانو سیال در مبدل های حرارتی

بررسی اثر نانو سیال در مبدل های حرارتی

بررسی اثر نانو سیال در مبدل های حرارتی

نانوسیال به محلول سوسپانسیونی اطلاق می شود که ذرات فوق العاده ریز )کوچکتر از ۱۰۰ نانومتر( در سیالی خالص به حالت تعلیق درآورده شده باشند.با توجه به پیشرفت های اخیر در فناوری نانو، یکی از روش های نوین بهبود راندمان مبدل های حرارتی، استفاده از نانو سیالات می باشد که در دهه گذشته مطالعات تجربی و نظری فراوانی پیرامون آن در مراجع علمی صورت گرفته است. نتایج مطالعات نشان می دهد افزایش دبی و غلظت نانو سیالات تاثیر به سزایی بر افزایش ضریب انتقال حرارت…


اثر نانو رس بر خواص ژئوتکنیکی خاک ماسهای

اثر نانو رس بر خواص ژئوتکنیکی خاک ماسهای

اثر نانو رس بر خواص ژئوتکنیکی خاک ماسهای

همواره در مسائل مربوط به پایداری خاکها از قبیل طراحی پیها، دیوارهای حائل، پایداری شیب و خاکریزها، داشتن اطلاعات کافی راجع به خواص مهندسی خاکها، امری ضروری است. امروزه با توجه به رشد روزافزون جمعیت و گسترش محدودههای شهری و راههای ارتباطی، مساحت زمین های با مشخصات فیزیکی مناسب جهت ساخت و ساز و احداث بنا بهتدریج رو به کاهش میباشد. در برخی از گونههای خاکهای ماسهای، به علت ویژگیهای فنی نامطلوب و دارا بودن درصد بالایی از خاکهای ریزدانه، نیاز…


بررسی اثر نانو سیال در مبدل های حرارتی

بررسی اثر نانو سیال در مبدل های حرارتی

بررسی اثر نانو سیال در مبدل های حرارتی

نانوسیال به محلول سوسپانسیونی اطلاق می شود که ذرات فوق العاده ریز )کوچکتر از ۱۰۰ نانومتر( در سیالی خالص به حالت تعلیق درآورده شده باشند.با توجه به پیشرفت های اخیر در فناوری نانو، یکی از روش های نوین بهبود راندمان مبدل های حرارتی، استفاده از نانو سیالات می باشد که در دهه گذشته مطالعات تجربی و نظری فراوانی پیرامون آن در مراجع علمی صورت گرفته است. نتایج مطالعات نشان می دهد افزایش دبی و غلظت نانو سیالات تاثیر به سزایی بر افزایش ضریب انتقال حرارت…


اثر نانو رس بر خواص ژئوتکنیکی خاک ماسهای

اثر نانو رس بر خواص ژئوتکنیکی خاک ماسهای

اثر نانو رس بر خواص ژئوتکنیکی خاک ماسهای

همواره در مسائل مربوط به پایداری خاکها از قبیل طراحی پیها، دیوارهای حائل، پایداری شیب و خاکریزها، داشتن اطلاعات کافی راجع به خواص مهندسی خاکها، امری ضروری است. امروزه با توجه به رشد روزافزون جمعیت و گسترش محدودههای شهری و راههای ارتباطی، مساحت زمین های با مشخصات فیزیکی مناسب جهت ساخت و ساز و احداث بنا بهتدریج رو به کاهش میباشد. در برخی از گونههای خاکهای ماسهای، به علت ویژگیهای فنی نامطلوب و دارا بودن درصد بالایی از خاکهای ریزدانه، نیاز…


خصوصیات الیاف نانو کربن

خصوصیات الیاف نانو کربن

خصوصیات الیاف نانو کربن

عنوان تحقیق: خصوصیات الیاف نانو کربنفرمت فایل: WORD
تعداد صفحات: ۴۹
شرح مختصر:
کربن نانو لوله مانند برگه نازک و بشکل ماسوره های بی درز گردانده شده است و قطر آن حدودا یک الی ده نانو متر میباشد با طولهای بالا.نانو لوله بخاطر ساختمان و خواصی که دارد بسیار مورد توجه قرار گرفته است.دانشمندان درسال ۱۹۹۱ طی یکسری آزمایشهای مقدماتی دریافتند که نانو لوله های کربن دارای خواص مکانیکی خاص هستند مثلا ضریب هدایت برق آنها پایین است. و ضریب هدایت گرمائی آنها…


محاسبه ضریب جذب نوری و جریان الکتریکی در نانوسیم های ZnO

محاسبه ضریب جذب نوری و جریان الکتریکی در نانوسیم های ZnO

محاسبه ضریب جذب نوری و جریان الکتریکی در نانوسیم های ZnO

در این مقاله با استفاده از محاسبه ترازهای انرژی نانوسیم های ZnO ، ابتدا باند انرژی این ساختار را محاسبه کرده و سپس به محاسبه ضریب جذب نور می پردازیم.با در نظر گرفتن طول عمر حامل ها و ارائه مدل مناسب برای این موضوع به محاسبه جریان الکتریکی ناشی از جذب نور پرداختیم.ملاحظه می شود که پهنای باند انرژی برای این ساختار ۳/۳eV بوده و در ازای تابش ۱۰۰۰mW/cm2 میزان جریان نوری حدود ۰۱ میلی آمپر بدست می اید.این پارامترها به طول نانوسیم ها و نیز قطر انها بستگی…


تاثیر فناوری نانو بر پایداری مصالح ساختمانی

تاثیر فناوری نانو بر پایداری مصالح ساختمانی

تاثیر فناوری نانو بر پایداری مصالح ساختمانی

این مقاله به بررسی تاثیر فناوری نانو بر پایداری مصالح ساختمانی می پردازد…


طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده امپدانس انتقالی با استفاده از ترانزیستورهای نانو لوله کربنی برای استفاده در گیرنده مخابرات نوری

طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده امپدانس انتقالی با استفاده از ترانزیستورهای نانو لوله کربنی برای استفاده در گیرنده مخابرات نوری

طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده امپدانس انتقالی با استفاده از ترانزیستورهای نانو لوله کربنی برای استفاده در گیرنده مخابرات نوری

در این مقاله طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده امپدانس انتقالی ) TIA ) برای استفاده در گیرنده مخابرات نوری ارائه شده است. مدار ) TIA ( ارائه شده با استفاده از ترانزیستورهای نانو لوله کربنی ۲۳ نانومتر ) CNTFET 23nm (، طراحی و با نرم افزار HSPICE شبیه سازی شده است. در این مقاله جهت طراحی مدار تقویت کننده امپدانس انتقالی از سه طبقه سورس مشترک با فیدبک مقاومتی فعال به همراه سلف در ورودی برای کاهش اثر خازنی ورودی با استفاده از ترانزیستورهای نانو لوله کربنی از…





تمامی حقوق و مطالب سایت برای تک بوک محفوظ است و هرگونه کپی برداری بدون ذکر منبع ممنوع می باشد.


فید نقشه سایت

تمامی حقوق برای سایت تک بوک محفوظ میباشد