فایل پاورپوینت ترانزیستورهای نانو لوله کربنی CNTFET
در سال ۱۹۶۵ آقای مور پیش بینی کرد که تعداد ترانزیستور های روی یک تراشه هر دو سال یکبار دو برابر می شود. اما این کاهش ابعاد ترانزیستور ها به زودی به پایان خواهد رسید. به عنوان مثال بخش هایی از ترانزیستورها تنها به اندازه چند اتم ضخامت دارند. بنابراین وقتی ابعاد این بخش ها به یک یا دو اتم برسند کاهش ابعاد ترانزیستورها متوقف خواهد شد. بنابراین ناچاریم به یک فناوری جدید به نام فناوری نانو رو بیاوریم. کوچک سازی ابعاد همچنین می تواند سبب کوچک تر…
محاسبه جریان در دیود مبتنی بر نانوسیم های ZnO
در این مقاله، جهت بررسی و ترسیم منحنی مشخصه جریان-ولتاژ دیود مورد نظر، به حل معادله پیوستگی می پردازیم. برای این منظور، حل معادله با اعمال شرایط خاص در مقاله انجام می پذیرد. سپس مقادیر ولتاژ آستانه را به ازای طولهای مختلف نانو سیم و چگالی های الکترون تاریک بررسی می کنیم. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که با تغییر طول نانو سیم ها و چگالی های الکترون تاریک ، ولتاژ کاهش می یابد. همچنین جریان نیز با تغییر این دو پارامتر دارای تغییرات خواهد بود. همان…
بررسی عملکرد سلول خورشیدی مبتنی بر نقاط کوانتومی CdSe نانوسیم های – ZnO
- takbook
- سایر رشته های فنی مهندسی
- 14th سپتامبر 2016
- بدون نظر
بررسی عملکرد سلول خورشیدی مبتنی بر نقاط کوانتومی CdSe نانوسیم های – ZnO
این مقاله به بررسی عملکرد سلول خورشیدی مبتنی بر نقاط کوانتومی CdSe نانوسیم های Zno می پردازد…